Galaxy S6, Galaxy Note 5 nhanh hơn, ít tốn pin hơn với 4 GB RAM thế hệ mới
Đại gia công nghệ xứ Hàn sẽ áp dùng những con chip RAM mới cho 2 flagship của mình là Galaxy S6 và Galaxy Note 5 trong năm sau.
Vừa qua, Samsung đã tuyên bố họ bắt đầu chuyển sang giai đoạn sản xuất đại trà module LPDDR4 DRAM 4 GB dành cho các thiết bị di động. Những module LPDDR4 DRAM này được thiết kế dựa trên công nghệ 20nm của công ty cung cấp tốc độ truyền tải dữ liệu lên đến 3200Mbps cùng khả năng quay và phát lại video UHD hay chụp liên tục các hình ảnh với độ phân giải cao hơn 20 megapixel. Điều đặc biệt hơn, linh kiện LPDDR4 này có khả năng tiết kiệm pin hơn 40% năng lượng so với thế hệ LPDDR3.
Chia sẻ về công nghệ RAM mới, đại diện mảng bán hàng và tiếp thị của Samsung Memory cho biết thế hệ RAM di động mới của mình còn cho tốc độ nhanh hơn máy tính. Được biết, đại gia công nghệ xứ Hàn sẽ áp dùng những con chip RAM mới này cho 2 flagship của mình là Galaxy S6 và Galaxy Note 5 trong năm sau. Trong giai đoạn đầu 2015, hãng sẽ bắt đầu chuyển giao các module RAM 2 GB, 3 GB cho các hãng sản xuất khác.
NỔI BẬT TRANG CHỦ
-
Chip mới của Qualcomm chưa là gì so với Apple M4 trong các bài kiểm tra
Qualcomm Snapdragon X2 Plus không thể vượt qua Apple M4 trong bốn trên năm bài kiểm tra hiệu năng CPU và GPU, cho thấy những thách thức trong việc cạnh tranh với Apple.
-
Lừa đảo ngay đầu năm: Đặt mua RTX 5090 trên Amazon rồi chỉ để nhận về... túi đeo hông